【半导体实验室污水处理设备】新闻

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半导体清洗废水处理设备主要采取的处理工艺：

二次反应一级凝固十一级沉淀，系统流出离子浓度基本满足L要求。如果增加次沉淀，作为第二反应沉淀次反应沉淀的第二阶段沉淀反应，系统流出离子浓度可以控制在10毫克。

浓氨不脱吸收工艺-含溴废水的第二阶段沉淀工艺(含溴废水和CMP研磨废水混合处理)-三级酸碱和处理工艺。

直接投入二级反应组、酸碱原液，运行水不稳定，药剂消耗大。

反冲洗过滤器是利用过滤器直接拦截水中杂质，去除水体悬浮物、颗粒物，降低浊度，净化水质，减少系统污垢、菌藻、腐蚀等，净化水质，恒沃创科系统其他设备正常运行的设备。反冲洗过滤器处理的水质不仅达到国家规定的废水排放标准，反冲洗过滤器处理的水源还可以重复使用，可以回收利用，从而节约水资源。

在半导体制造技术中，通过一系列的光刻、刻蚀、沉积、离子注入、研磨、清洗等工艺形成具有各种功能的半导体芯片，然后将所述半

1.1收集箱

本方案设置PE收集箱收集实验室水量，调节池内设置液位自控系统，当废水量达到一定量后，污水处理系统自动运行，同时能够实现不同时间段不同性质污水的自中和，减少酸碱中和药剂的使用量。

1.2酸碱中和系统

由于污水中含有酸、碱、无机盐类物质，需对废水进行酸碱中和处理。酸碱中和池内通过pH控制仪，利用计量泵准确投加一定量NaOH水溶液，调节pH值至8～9之间，在碱性条件下，废水中的酸被中和，铁、镉、铜、锰、镍、铅、铬等重金属离子则与OH-发生化学反应生成氢氧化物沉淀。

5.2沉淀池

污水经酸碱中和调节系统处理后部分溶解物质生成沉淀，该沉淀连同污水中原有悬浮物质在沉淀池中实现泥水分离，充分实现泥水分离，确保悬浮物指标的达标。

1.3消毒氧化池

由于本项目污水为检测过程中产生的废水，污水中含有一定量的致病微生物，本方案通过设置氧化池并加入臭氧杀灭水中的病原微生物。

1.4活性吸附装置

经消毒处理后的废水后进入活性吸附装置，尚未被去除的细小悬浮物、微量金属及极少量的有机物等，一部分通吸咐、截留等物理、化学作用等去除，另一部则被附着在滤料上的微生物膜中的厌氧、好氧及兼性菌等降解去除，活性炭截留吸咐，与微生物降解解吸的过程穿插、交替、循环进行。至此废水即可达标排放。

导体芯片进行封装和电性测试，并终形成终端产品。

目前，在半导体芯片的制造过程中，会产生大量的工业废水且芯片制造生产工艺复杂，包括硅片清洗、化学气相沉积、刻蚀等工序反复交叉，生产中使用了大量的化学试剂如HF、H2SO4、NH3・H2O等。所以一般芯片制造废水处理系统有含氨废水处理系统+含氟废水处理系统+CMP。

在现有的废水处理过程中，通常单独使用序列间歇式活性污泥法(SBR)或生物接触氧化法或曝气生物滤池(BAF)，均只能对废水进行单一的处理，例如为过滤或微生物反应或去除毒性等，由于处理方式过于单一，这常常导致过滤物质很快堵塞的问题。因此，废水处理仍有改善的空间。